| Modèle de produit : | DTA115GKAT146 |
|---|---|
| Fabricant / marque : | LAPIS Semiconductor |
| La description : | TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3 |
| État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 715149 pcs |
| Livret des spécifications | DTA115GKAT146.pdf |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 50V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Package composant fournisseur | SMT3 |
| Séries | - |
| Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 100 kOhms |
| Puissance - Max | 200mW |
| Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Fréquence - Transition | 250MHz |
| Description détaillée | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SMT3 |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 82 @ 5mA, 5V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 500nA (ICBO) |
| Courant - Collecteur (Ic) (max) | 100mA |
| Numéro de pièce de base | DTA115 |
LAPIS Semiconductor
