Modèle de produit : | DRDNB16W-7 |
---|---|
Fabricant / marque : | Diodes Incorporated |
La description : | TRANS PREBIAS NPN/DIODE SOT363 |
État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 418316 pcs |
Livret des spécifications | DRDNB16W-7.pdf |
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased + Diode |
Package composant fournisseur | SOT-363 |
Séries | - |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 10 kOhms |
Résistance - Base (R1) | 1 kOhms |
Puissance - Max | 200mW |
Emballage | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Autres noms | DRDNB16W7 DRDNB16WDITR |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant | 24 Weeks |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Fréquence - Transition | 200MHz |
Description détaillée | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased + Diode 50V 600mA 200MHz 200mW Surface Mount SOT-363 |
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 56 @ 50mA, 5V |
Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 500nA |
Courant - Collecteur (Ic) (max) | 600mA |
Numéro de pièce de base | DRDNB16 |