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DRDNB16W-7

Modèle de produit : DRDNB16W-7
Fabricant / marque : Diodes Incorporated
La description : TRANS PREBIAS NPN/DIODE SOT363
État RoHS : Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 418316 pcs
Livret des spécifications DRDNB16W-7.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor Type NPN - Pre-Biased + Diode
Package composant fournisseur SOT-363
Séries -
Résistance - Base de l'émetteur (R2) 10 kOhms
Résistance - Base (R1) 1 kOhms
Puissance - Max 200mW
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Autres noms DRDNB16W7
DRDNB16WDITR
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 24 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition 200MHz
Description détaillée Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased + Diode 50V 600mA 200MHz 200mW Surface Mount SOT-363
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 56 @ 50mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max) 600mA
Numéro de pièce de base DRDNB16
DRDNB16W-7
Diodes Incorporated Diodes Incorporated Les images sont fournies à titre indicatif. Voir Spécifications du produit pour plus de détails.
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