| Modèle de produit : | DRA2L14Y0L |
|---|---|
| Fabricant / marque : | Panasonic |
| La description : | TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3 |
| État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 672179 pcs |
| Livret des spécifications | DRA2L14Y0L.pdf |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 30V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.2V @ 330µA, 50mA |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Package composant fournisseur | Mini3-G3-B |
| Séries | - |
| Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 47 kOhms |
| Résistance - Base (R1) | 10 kOhms |
| Puissance - Max | 200mW |
| Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Autres noms | DRA2L14Y0L-ND DRA2L14Y0LTR |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 11 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Description détaillée | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 30V 100mA 200mW Surface Mount Mini3-G3-B |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 500nA |
| Courant - Collecteur (Ic) (max) | 100mA |
| Numéro de pièce de base | DRA2L14 |
