| Modèle de produit : | DMG6601LVT-7 |
|---|---|
| Fabricant / marque : | Diodes Incorporated |
| La description : | MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT |
| État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 394246 pcs |
| Livret des spécifications | DMG6601LVT-7.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Package composant fournisseur | TSOT-26 |
| Séries | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55 mOhm @ 3.4A, 10V |
| Puissance - Max | 850mW |
| Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Autres noms | DMG6601LVT-7DITR DMG6601LVT7 |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 32 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 422pF @ 15V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 12.3nC @ 10V |
| type de FET | N and P-Channel |
| Fonction FET | Logic Level Gate |
| Tension drain-source (Vdss) | 30V |
| Description détaillée | Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.8A, 2.5A 850mW Surface Mount TSOT-26 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 3.8A, 2.5A |
| Numéro de pièce de base | DMG6601 |
Diodes Incorporated
