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DDTC114ELP-7

Modèle de produit : DDTC114ELP-7
Fabricant / marque : Diodes Incorporated
La description : TRANS PREBIAS NPN 250MW 3DFN
État RoHS : Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 253880 pcs
Livret des spécifications DDTC114ELP-7.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 10mA, 70mA
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Package composant fournisseur 3-DFN1006 (1.0x0.6)
Séries -
Résistance - Base de l'émetteur (R2) 10 kOhms
Résistance - Base (R1) 10 kOhms
Puissance - Max 250mW
Emballage Cut Tape (CT)
Package / Boîte 3-UFDFN
Autres noms DDTC114ELP-7DICT
DDTC114ELP7
DDTC114ELPDICT
DDTC114ELPDICT-ND
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition 250MHz
Description détaillée Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 250mW Surface Mount 3-DFN1006 (1.0x0.6)
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 50mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 1µA
Courant - Collecteur (Ic) (max) 100mA
Numéro de pièce de base DDTC114
DDTC114ELP-7
Diodes Incorporated Diodes Incorporated Les images sont fournies à titre indicatif. Voir Spécifications du produit pour plus de détails.
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