Modèle de produit : | DB106G |
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Fabricant / marque : | GeneSiC Semiconductor |
La description : | DIODE BRIDGE 800V 1A DB |
État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 173648 pcs |
Livret des spécifications | 1.DB106G.pdf2.DB106G.pdf |
Tension - Inverse de crête (max) | 800V |
Tension - directe (Vf) (max) @ Si | 1.1V @ 1A |
La technologie | Standard |
Package composant fournisseur | DB |
Séries | - |
Emballage | Bulk |
Package / Boîte | 4-EDIP (0.321", 8.15mm) |
Autres noms | DB106GGN |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant | 4 Weeks |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Type de diode | Single Phase |
Description détaillée | Bridge Rectifier Single Phase Standard 800V Through Hole DB |
Courant - fuite, inverse à Vr | 10µA @ 800V |
Courant - Rectifié moyenne (Io) | 1A |