| Modèle de produit : | D3G-T |
|---|---|
| Fabricant / marque : | Diodes Incorporated |
| La description : | DIODE GEN PURP 200V 1A T1 |
| État RoHS : | Contient du plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 625239 pcs |
| Livret des spécifications | D3G-T.pdf |
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si | 1V @ 1A |
| Tension - inverse (Vr) (max) | 200V |
| Package composant fournisseur | T-1 |
| La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Séries | - |
| Temps de recouvrement inverse (trr) | 2µs |
| Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | T1, Axial |
| Température d'utilisation - Jonction | -65°C ~ 150°C |
| Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 7 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Contains lead / RoHS Compliant |
| Type de diode | Standard |
| Description détaillée | Diode Standard 200V 1A Through Hole T-1 |
| Courant - fuite, inverse à Vr | 5µA @ 200V |
| Courant - Rectifié moyenne (Io) | 1A |
| Capacité à Vr, F | 8pF @ 4V, 1MHz |
Diodes Incorporated
