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CY7C1412BV18-200BZC

Modèle de produit : CY7C1412BV18-200BZC
Fabricant / marque : Cypress Semiconductor
La description : IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA
État RoHS : Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Quantité disponible 5786 pcs
Livret des spécifications CY7C1412BV18-200BZC.pdf
Écrire le temps de cycle - Word, Page -
Tension - Alimentation 1.7 V ~ 1.9 V
La technologie SRAM - Synchronous, QDR II
Package composant fournisseur 165-FBGA (15x17)
Séries -
Emballage Tray
Package / Boîte 165-LBGA
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 3 (168 Hours)
Type de mémoire Volatile
Taille mémoire 36Mb (2M x 18)
Interface mémoire Parallel
Format de mémoire SRAM
Statut sans plomb / Statut RoHS Contains lead / RoHS non-compliant
Description détaillée SRAM - Synchronous, QDR II Memory IC 36Mb (2M x 18) Parallel 200MHz 165-FBGA (15x17)
Fréquence d'horloge 200MHz
Numéro de pièce de base CY7C1412
CY7C1412BV18-200BZC
Cypress Semiconductor Cypress Semiconductor Les images sont fournies à titre indicatif. Voir Spécifications du produit pour plus de détails.
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