Modèle de produit : | BUK9E4R9-60E,127 |
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Fabricant / marque : | NXP Semiconductors / Freescale |
La description : | MOSFET N-CH 60V 100A I2PAK |
État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 4946 pcs |
Livret des spécifications | |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 1mA |
Vgs (Max) | ±10V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur | I2PAK |
Séries | TrenchMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5 mOhm @ 25A, 10V |
Dissipation de puissance (max) | 234W (Tc) |
Emballage | Tube |
Package / Boîte | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Autres noms | 568-9876-5 934066657127 BUK9E4R960E127 |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 9710pF @ 25V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 65nC @ 5V |
type de FET | N-Channel |
Fonction FET | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 5V, 10V |
Tension drain-source (Vdss) | 60V |
Description détaillée | N-Channel 60V 100A (Tc) 234W (Tc) Through Hole I2PAK |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 100A (Tc) |