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BDX53ATU

Modèle de produit : BDX53ATU
Fabricant / marque : AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description : TRANS NPN DARL 60V 8A TO-220
État RoHS : Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 4670 pcs
Livret des spécifications 1.BDX53ATU.pdf2.BDX53ATU.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 2V @ 12mA, 3A
Transistor Type NPN - Darlington
Package composant fournisseur TO-220
Séries -
Puissance - Max 60W
Emballage Tube
Package / Boîte TO-220-3
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition -
Description détaillée Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 60V 8A 60W Through Hole TO-220
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 750 @ 3A, 3V
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500µA
Courant - Collecteur (Ic) (max) 8A
Numéro de pièce de base BDX53
AMI Semiconductor / ON Semiconductor Les images sont fournies à titre indicatif. Voir Spécifications du produit pour plus de détails.
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