Modèle de produit : | APTM20DHM10G |
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Fabricant / marque : | Microsemi |
La description : | MOSFET 2N-CH 200V 175A SP6 |
État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 4176 pcs |
Livret des spécifications | 1.APTM20DHM10G.pdf2.APTM20DHM10G.pdf |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 5mA |
Package composant fournisseur | SP6 |
Séries | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12 mOhm @ 87.5A, 10V |
Puissance - Max | 694W |
Emballage | Bulk |
Package / Boîte | SP6 |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 13700pF @ 25V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 224nC @ 10V |
type de FET | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
Fonction FET | Standard |
Tension drain-source (Vdss) | 200V |
Description détaillée | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 200V 175A 694W Chassis Mount SP6 |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 175A |