Modèle de produit : | APTM120U10DAG |
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Fabricant / marque : | Microsemi |
La description : | MOSFET N-CH 1200V 116A SP6 |
État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 4483 pcs |
Livret des spécifications | 1.APTM120U10DAG.pdf2.APTM120U10DAG.pdf |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 20mA |
Vgs (Max) | ±30V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur | SP6 |
Séries | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 58A, 10V |
Dissipation de puissance (max) | 3290W (Tc) |
Emballage | Bulk |
Package / Boîte | SP6 |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 28900pF @ 25V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 1100nC @ 10V |
type de FET | N-Channel |
Fonction FET | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
Tension drain-source (Vdss) | 1200V |
Description détaillée | N-Channel 1200V 160A (Tc) 3290W (Tc) Chassis Mount SP6 |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 160A (Tc) |