| Modèle de produit : | APTGTQ100DA65T1G |
|---|---|
| Fabricant / marque : | Microsemi |
| La description : | POWER MODULE - IGBT |
| État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 937 pcs |
| Livret des spécifications | APTGTQ100DA65T1G.pdf |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 650V |
| Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 100A |
| Package composant fournisseur | SP1 |
| Séries | - |
| Puissance - Max | 250W |
| Package / Boîte | Module |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| NTC thermistance | Yes |
| Type de montage | Chassis Mount |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 6nF @ 25V |
| Contribution | Standard |
| type de IGBT | - |
| Description détaillée | IGBT Module Boost Chopper 650V 100A 250W Chassis Mount SP1 |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 100µA |
| Courant - Collecteur (Ic) (max) | 100A |
| Configuration | Boost Chopper |
