Modèle de produit : | APTDC40H1201G |
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Fabricant / marque : | Microsemi |
La description : | POWER MODULE DIODE 1200V 40A SP1 |
État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 201 pcs |
Livret des spécifications | APTDC40H1201G.pdf |
Tension - Inverse de crête (max) | 1.2kV |
Tension - directe (Vf) (max) @ Si | 1.8V @ 40A |
La technologie | Silicon Carbide Schottky |
Package composant fournisseur | SP1 |
Séries | - |
Emballage | Bulk |
Package / Boîte | SP1 |
Autres noms | APTDC40H1201GMI APTDC40H1201GMI-ND |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Type de diode | Single Phase |
Description détaillée | Bridge Rectifier Single Phase Silicon Carbide Schottky 1.2kV Chassis Mount SP1 |
Courant - fuite, inverse à Vr | 800µA @ 1200V |
Courant - Rectifié moyenne (Io) | 40A |