Modèle de produit : | APTCV50H60T3G |
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Fabricant / marque : | Microsemi |
La description : | IGBT TRENCH FULL BRIDGE SP3 |
État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 742 pcs |
Livret des spécifications | 1.APTCV50H60T3G.pdf2.APTCV50H60T3G.pdf |
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 600V |
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 50A |
Package composant fournisseur | SP3 |
Séries | - |
Puissance - Max | 176W |
Package / Boîte | SP3 |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
NTC thermistance | Yes |
Type de montage | Chassis Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant | 32 Weeks |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 3.15nF @ 25V |
Contribution | Standard |
type de IGBT | NPT, Trench Field Stop |
Description détaillée | IGBT Module NPT, Trench Field Stop Full Bridge 600V 80A 176W Chassis Mount SP3 |
Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 250µA |
Courant - Collecteur (Ic) (max) | 80A |
Configuration | Full Bridge |