Modèle de produit : | APT25GN120B2DQ2G |
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Fabricant / marque : | Microsemi |
La description : | IGBT 1200V 67A 272W TMAX |
État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 3053 pcs |
Livret des spécifications | 1.APT25GN120B2DQ2G.pdf2.APT25GN120B2DQ2G.pdf |
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 1200V |
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 25A |
Condition de test | 800V, 25A, 4.3 Ohm, 15V |
Td (marche / arrêt) à 25 ° C | 22ns/280ns |
énergie de commutation | 2.15µJ (off) |
Séries | - |
Puissance - Max | 272W |
Emballage | Tube |
Package / Boîte | TO-247-3 Variant |
Autres noms | APT25GN120B2DQ2GMI APT25GN120B2DQ2GMI-ND |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant | 32 Weeks |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Type d'entrée | Standard |
type de IGBT | NPT, Trench Field Stop |
gate charge | 155nC |
Description détaillée | IGBT NPT, Trench Field Stop 1200V 67A 272W Through Hole |
Courant - Collecteur pulsée (Icm) | 75A |
Courant - Collecteur (Ic) (max) | 67A |