Modèle de produit : |
AON6912A |
Fabricant / marque : |
Alpha and Omega Semiconductor, Inc. |
La description : |
MOSFET 2N-CH 30V 10A/13.8A 8DFN |
État RoHS : |
Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible |
89317 pcs |
Livret des spécifications |
1.AON6912A.pdf2.AON6912A.pdf |
Vgs (th) (Max) @ Id |
2.5V @ 250µA |
Package composant fournisseur |
8-DFN (5x6) |
Séries |
- |
Rds On (Max) @ Id, Vgs |
13.7 mOhm @ 10A, 10V |
Puissance - Max |
1.9W, 2.1W |
Emballage |
Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte |
8-PowerVDFN |
Température de fonctionnement |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage |
Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) |
1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant |
26 Weeks |
Statut sans plomb / Statut RoHS |
Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds |
910pF @ 15V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs |
17nC @ 10V |
type de FET |
2 N-Channel (Half Bridge) |
Fonction FET |
Logic Level Gate |
Tension drain-source (Vdss) |
30V |
Description détaillée |
Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 10A, 13.8A 1.9W, 2.1W Surface Mount 8-DFN (5x6) |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C |
10A, 13.8A |