Modèle de produit : | AOI7S65 |
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Fabricant / marque : | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. |
La description : | MOSFET N-CH 650V 7A TO251A |
État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 41434 pcs |
Livret des spécifications | 1.AOI7S65.pdf2.AOI7S65.pdf |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±30V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur | TO-251A |
Séries | aMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 650 mOhm @ 3.5A, 10V |
Dissipation de puissance (max) | 89W (Tc) |
Emballage | Tube |
Package / Boîte | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 434pF @ 100V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 9.2nC @ 10V |
type de FET | N-Channel |
Fonction FET | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
Tension drain-source (Vdss) | 650V |
Description détaillée | N-Channel 650V 7A (Tc) 89W (Tc) Through Hole TO-251A |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 7A (Tc) |