| Modèle de produit : | 2SK3666-3-TB-E |
|---|---|
| Fabricant / marque : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| La description : | JFET N-CH 10MA 200MW 3CP |
| État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 301721 pcs |
| Livret des spécifications | 2SK3666-3-TB-E.pdf |
| Tension - Cutoff (VGS off) @ Id | 180mV @ 1µA |
| Package composant fournisseur | 3-CP |
| Séries | - |
| Résistance - RDS (On) | 200 Ohms |
| Puissance - Max | 200mW |
| Emballage | Cut Tape (CT) |
| Package / Boîte | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Autres noms | 869-1107-1 |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 4 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4pF @ 10V |
| type de FET | N-Channel |
| Tension drain-source (Vdss) | 30V |
| Description détaillée | JFET N-Channel 10mA 200mW Surface Mount 3-CP |
| Consommation de courant (Id) - Max | 10mA |
| Courant - Drain (Idss) @ Vds (VGS = 0) | 1.2mA @ 10V |
| Numéro de pièce de base | 2SK3666 |
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
