Modèle de produit : | 2SA1020-Y(HIT,F,M) |
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Fabricant / marque : | Toshiba Semiconductor and Storage |
La description : | TRANS PNP 2A 50V TO226-3 |
État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 4073 pcs |
Livret des spécifications | 2SA1020-Y(HIT,F,M).pdf |
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 1A |
Transistor Type | PNP |
Package composant fournisseur | TO-92MOD |
Séries | - |
Puissance - Max | 900mW |
Emballage | Bulk |
Package / Boîte | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
Autres noms | 2SA1020-Y(HITFM) 2SA1020YHITFM |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Fréquence - Transition | 100MHz |
Description détaillée | Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 2A 100MHz 900mW Through Hole TO-92MOD |
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 500mA, 2V |
Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 1µA (ICBO) |
Courant - Collecteur (Ic) (max) | 2A |