| Modèle de produit : | 2731GN-110M |
|---|---|
| Fabricant / marque : | Microsemi Corporation |
| La description : | FETS RF GAN 150V 2.7-3.1GHZ 55QP |
| État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 74 pcs |
| Livret des spécifications | 2731GN-110M.pdf |
| Tension - Nominale | 150V |
| Tension - Sortie | 125W |
| Tension - Ventilation | 55QP |
| Séries | - |
| État RoHS | Bulk |
| Polarisation | 55QP |
| Noise Figure | 60V |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant | 2731GN-110M |
| La fréquence | 2.7GHz ~ 3.1GHz |
| type de FET | 11.7dB ~ 12.2dB |
| Description élargie | RF Mosfet 2 N-Channel (Dual) Common Source 60V 250mA 2.7GHz ~ 3.1GHz 11.7dB ~ 12.2dB 125W 55QP |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 250mA |
| La description | FETS RF GAN 150V 2.7-3.1GHZ 55QP |
| Note actuelle | 2.5mA |
| Courant - Test | - |
| Courant - Collecteur (Ic) (max) | 2 N-Channel (Dual) Common Source |
