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1N4448

Modèle de produit : 1N4448
Fabricant / marque : Microsemi
La description : DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35
État RoHS : Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Quantité disponible 34472 pcs
Livret des spécifications 1N4448.pdf
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1V @ 100mA
Tension - inverse (Vr) (max) 75V
Package composant fournisseur DO-35
La vitesse Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Séries -
Temps de recouvrement inverse (trr) 4ns
Emballage Bulk
Package / Boîte DO-204AH, DO-35, Axial
Autres noms 1N4448MS
Température d'utilisation - Jonction -65°C ~ 150°C
Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Contains lead / RoHS non-compliant
Type de diode Standard
Description détaillée Diode Standard 75V 200mA Through Hole DO-35
Courant - fuite, inverse à Vr 25nA @ 20V
Courant - Rectifié moyenne (Io) 200mA
Capacité à Vr, F -
1N4448
Microsemi Microsemi Les images sont fournies à titre indicatif. Voir Spécifications du produit pour plus de détails.
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