Modèle de produit : | 1N4006T-G |
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Fabricant / marque : | Comchip Technology |
La description : | DIODE GEN PURP 800V 1A DO41 |
État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 1063837 pcs |
Livret des spécifications | 1N4006T-G.pdf |
Tension - directe (Vf) (max) @ Si | 1.1V @ 1A |
Tension - inverse (Vr) (max) | 800V |
Package composant fournisseur | DO-41 |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Séries | - |
Emballage | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte | DO-204AL, DO-41, Axial |
Température d'utilisation - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant | 12 Weeks |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Type de diode | Standard |
Description détaillée | Diode Standard 800V 1A Through Hole DO-41 |
Courant - fuite, inverse à Vr | 5µA @ 800V |
Courant - Rectifié moyenne (Io) | 1A |
Capacité à Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Numéro de pièce de base | 1N4006 |