| Modèle de produit : | 1N3879 |
|---|---|
| Fabricant / marque : | GeneSiC Semiconductor |
| La description : | DIODE GEN PURP 50V 6A DO4 |
| État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 11538 pcs |
| Livret des spécifications | 1.1N3879.pdf2.1N3879.pdf |
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si | 1.4V @ 6A |
| Tension - inverse (Vr) (max) | 50V |
| Package composant fournisseur | DO-4 |
| La vitesse | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Séries | - |
| Temps de recouvrement inverse (trr) | 200ns |
| Emballage | Bulk |
| Package / Boîte | DO-203AA, DO-4, Stud |
| Autres noms | 1242-1087 |
| Température d'utilisation - Jonction | -65°C ~ 150°C |
| Type de montage | Chassis, Stud Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 10 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Type de diode | Standard |
| Description détaillée | Diode Standard 50V 6A Chassis, Stud Mount DO-4 |
| Courant - fuite, inverse à Vr | 15µA @ 50V |
| Courant - Rectifié moyenne (Io) | 6A |
| Capacité à Vr, F | - |
| Numéro de pièce de base | 1N3879 |
GeneSiC Semiconductor
